Electric kasalukuyang sa Semi-konduktor

Electric kasalukuyang sa Semiconductors - ay itinuro kilusan ng mga butas at electron, na kung saan ay naiimpluwensyahan sa pamamagitan ng electric field.

Bilang isang resulta ng mga eksperimento, ito ay sinusunod na ang electric kasalukuyang sa Semiconductors ay hindi sinamahan ng ang paglipat ng mga bagay - hindi sila kasangkot sa anumang mga pagbabago kemikal. Kaya, ang mga carrier, mga electron ay maaaring isinasaalang-alang sa Semiconductors.

Ang kakayahan ng mga materyal upang bumuo sa loob nito ang isang electric kasalukuyang ay maaaring tinutukoy sa pamamagitan ng mga tiyak na kondaktibiti. Sa pamamagitan ng ang tagapagpahiwatig na ito conductor maghawak ng isang intermediate posisyon sa pagitan ng mga conductors at insulators. Semiconductors - ang mga ito ay iba't ibang uri ng mineral, ang ilang mga metal, metal sulfides, etc. Electric kasalukuyang sa Semiconductors arises mula sa kampo ng mga libreng mga electron na maaaring ilipat directionally sa isang sangkap. Ang paghahambing ng mga metal at conductor, maaaring ito ay nabanggit na mayroong isang pagkakaiba sa pagitan ng temperatura impluwensiya sa kanilang kondaktibiti. Ang pagtaas sa temperatura ay humahantong sa isang pagbawas sa ang koryente ng riles. Sa Semiconductors pagpapadaloy pagtaas ng rate. Kung ang isang pagtaas semiconductor temperatura, ang galaw ng mga libreng mga electron ay magiging mas mali-mali. Ito ay dahil sa isang pagtaas sa ang bilang ng mga collisions. Gayunpaman, sa Semiconductors sa paghahambing sa metal, ito ay malaki nadagdagan display density ng libreng mga electron. Ang mga kadahilanang ito ay may kabaligtaran epekto sa kondaktibiti: ang mas collisions, ang mas maliit na ang kondaktibiti, mas malaki ang konsentrasyon, ang mas mataas na ito ay. Sa metal, walang pagtitiwala sa pagitan ng temperatura at ang konsentrasyon ng libreng electron, kaya na ang isang pagbabago sa koryente ng pagtaas ng temperatura lamang nababawasan ang posibilidad ng isang iniutos galaw ng libreng mga electron. Tulad ng para sa mga semiconductor, ang display epekto ng pagtaas ng konsentrasyon mas mataas. Kaya, ang pagtaas ng temperatura ay mas malaki, mas malaki ang koryente.

May ay isang relasyon sa pagitan ng sa paggalaw ng charge carrier at isang termino tulad ng electric kasalukuyang sa Semiconductors. Sa Semiconductors, sisingilin carrier nailalarawan sa pamamagitan ng ang hitsura ng iba't-ibang mga kadahilanan, bukod sa kung saan ay kritikal na temperatura at ang kadalisayan ng materyal. Kadalisayan Semiconductors ay nahahati sa panlabas at sarili.

Tulad ng para sa sarili nitong konduktor, ang epekto ng mga impurities sa isang tiyak na temperatura ay maaaring hindi mahalaga para sa kanila. Dahil ang band gap ng Semiconductors ay mababa, sa isang tunay semiconductor, kapag ang temperatura ay umabot sa absolute zero, mayroong isang kumpletong pasta ng valence electron. Ngunit ang pagpapadaloy banda ay libre: walang mga de-koryenteng kondaktibiti, at ito ay nagsisilbing isang perpektong insulator. Sa ibang mga temperatura, mayroong isang posibilidad na ang thermal pagbabago-bago ng mga tukoy na mga electron ay maaaring pagtagumpayan ang mga potensyal na hadlang at lilitaw sa pagpapadaloy band.

Thomson effect

Ang prinsipyo ng thermoelectric Thomson effect kapag ang isang electric kasalukuyang sa Semiconductors, kasama na kung saan doon ay isang temperatura gradient sa kanila, maliban Joule release init o pagsipsip ng karagdagang halaga ng init ay magaganap depende sa direksyon kung saan kasalukuyang ay dumaloy.

Hindi sapat na unipormeng specimen heating, pagkakaroon ng isang homogenous na istraktura ay nakakaapekto sa pag-aari nito, kung saan ang materyal ay nagiging di-unipormeng. Kaya, ang Thomson effect ay isang partikular na phenomenon Peltier. Ang pagkakaiba lamang ay na ang mga iba't-ibang mga di-kemikal na komposisyon ng sample, at ang temperatura ng pagka-orihinal ay ang heterogeneity.